制氫技術(shù)-光電化學(xué)創(chuàng)造新紀(jì)錄

　　光電化學(xué)制氫技術(shù)相對(duì)太陽(yáng)能光伏發(fā)電技術(shù)最大的不同，在于半導(dǎo)體材料沉浸在水基電解質(zhì)中。無(wú)機(jī)半導(dǎo)體材料在水基電解質(zhì)中很容易被腐蝕，因此采用有機(jī)半導(dǎo)體材料可明顯降低制氫成本?？蒲袌F(tuán)隊(duì)的目標(biāo)是最大化提升有機(jī)半導(dǎo)體材料的可見(jiàn)光吸收特性，提高制氫效率，降低制氫成本。

　　半導(dǎo)體材料表面沉積納米氧化鈦光敏材料薄層，在水基電解液和半導(dǎo)體材料之間形成一道天然屏障。此外，金屬納米材料利用鉑催化技術(shù)，有助于電極之間電氣上的相互連接，促使光電化學(xué)制氫過(guò)程在水基電解液環(huán)境中更加穩(wěn)定。

　　新技術(shù)也可應(yīng)用于相關(guān)領(lǐng)域，如光伏電子、有機(jī)生物電子、光電探測(cè)和有機(jī)半導(dǎo)體等，促進(jìn)低碳經(jīng)濟(jì)轉(zhuǎn)型升級(jí)。
   氫氣相關(guān)應(yīng)用及注意事項(xiàng)
   產(chǎn)品說(shuō)明: 主要應(yīng)用于氣體燃料，石油精煉，制造油脂、硬化油等人造奶油，甲醇、鹽酸、氨等的合成，焊接和金屬的切割，氣象觀測(cè)，玻璃的融化，冶金工業(yè)，冷卻劑(液氫)，半導(dǎo)體制造用平衡氣、蝕刻氣、標(biāo)準(zhǔn)氣、零點(diǎn)氣、校正氣、熱氧化、外延、擴(kuò)散、多晶硅、鎢化、離子注入、載流、燒結(jié)等。
   注意事項(xiàng): 氣體氫要用高壓鋼瓶貯裝，液氫要用絕緣的容器或槽車(chē)貯運(yùn)。搬運(yùn)容器時(shí)要嚴(yán)防容器碰損。容器要存放在通風(fēng)良好，陰涼干燥又能耐火的專門(mén)建筑物或室外。存放地點(diǎn)要遠(yuǎn)離氧和氯的貯存容器，炸藥、毒物、放射性材料、過(guò)氧化有機(jī)物以及其它可燃材料。要避免陽(yáng)光直射，溫度要保持40℃以下。密閉的存放容器室，其高低點(diǎn)處應(yīng)保持足夠的通風(fēng)以防氫氣停留。存放區(qū)內(nèi)嚴(yán)禁煙火。可能的點(diǎn)火源有：燃著的香煙或煙葉、明火焰和電火花、焊接和切割時(shí)所產(chǎn)生的火花和熔化金屬、溫度高于540℃的熱表面或材料、材料沖擊時(shí)所產(chǎn)生的火花、靜電排除時(shí)所產(chǎn)生的電火花、帶有電火花接觸的正常電氣設(shè)備(包括內(nèi)燃機(jī))等。