日本半導(dǎo)體制程電子氣體及中國發(fā)展情況－2008年7月

從日本半導(dǎo)體制程潔凈及蝕刻用氣體之現(xiàn)況反觀國內(nèi)之發(fā)展 NF3在執(zhí)行CVD腔體潔凈(Chamber Cleaning)扮演重要的角色，清潔效率極高，近年來受到「京都議定書」對全氟化物PFC（Perfluorinated Compound）的嚴(yán)格要求，原因是認(rèn)為PFC造成地球暖化機(jī)率很高，因此，全球半導(dǎo)體廠會逐年降低對NF3的使用量，同時開發(fā)新的替代方案，市場方面Air Products擁有40%的市場，銷售約1500噸的用量，其次是關(guān)東電化工業(yè)及三井化學(xué)各占有20%。 NH3除了應(yīng)用在半導(dǎo)體離子蝕刻(ionic etching)的制程之外，目前應(yīng)用在LED以及液晶面板的ARRAY制程端的比例逐年上拉，也因此近年來，NH3需求量明顯增加，供貨商的供貨比例形成均分的狀況，昭和電工略勝一籌，擁有32%，其余都在20%左右。 N2O俗稱笑氣，醫(yī)療用途是麻醉用，使用量已漸漸減少，反而是應(yīng)用在半導(dǎo)體DRAM的需求增加，N2O是CVD制程所需使用的材料，可制作絕緣膜，廣泛用于半導(dǎo)體及液晶LCD產(chǎn)業(yè)，但是受到溫室效應(yīng)的影響，全球半導(dǎo)體業(yè)仍需努力找尋替代方案，供貨商與NH3接近，其中MTG(Matheson Tri Gas)是大陽日酸投資的子公司。 CF4廣泛用在半導(dǎo)體的干蝕刻制程，少部分用在半導(dǎo)體及液晶制程中腔體的清潔，HBr則是應(yīng)用在Silicon的蝕刻，HCl用途既可用在半導(dǎo)體干蝕刻，也可用來作Silicon的蝕刻用氣體，日本國內(nèi)CF4的供貨商以昭和電工、關(guān)東電化工業(yè)以及大金工業(yè)均分天下，韓國則有尉山化學(xué)投入，日本國內(nèi)唯一可制造>99.999%HCl氣體是鶴見曹達(dá)，昭和電工的量則是鶴見曹達(dá)由OEM生產(chǎn)。 SF6具有良好的絕緣特性，屬無臭氣體而且安定性高，是一種毒性較低的氣體，主要應(yīng)用在半導(dǎo)體及液晶面板的干蝕刻制程，其次是用在CVD腔體清潔用，但由于地球暖化的因素的考慮，業(yè)者仍是積極尋找替代性方法，供應(yīng)鏈同樣是由昭和電工、關(guān)東電化工業(yè)主導(dǎo)，高達(dá)90%以上的市占率。C2F6用途在CVD腔體的潔凈，市場由昭和電工、關(guān)東電化工業(yè)以及大金工業(yè)均分天下，外銷則以昭和電工為主。制造技術(shù)方面，宇部興產(chǎn)的宇部工廠可從原料到精制BCl3，產(chǎn)值每年有200噸，昭和電工則是將2N(99%)的制品再加以精練到高純度。 Cl2以ADEKA、昭和電工以及東亞合成三家供應(yīng)，ADEKA川崎工場2007年3月年產(chǎn)能從300噸提升到1000噸，昭和電工也跟進(jìn)，同樣在2007年年產(chǎn)能上拉到1000噸，可說是競爭激烈。